RT null
T1 Innovative patterning method for modifying few-layer MoS2 device geometries
A1 Jiménez Urbanos F., 
A1 Black A., 
A1 Osorio M.R., 
A1 Casado S., 
A1 Granados, Daniel
A1 Bernardo-Gavito, Ramón
YR 2017
FD 2017
LK http://hdl.handle.net/20.500.12614/1391
UL http://hdl.handle.net/20.500.12614/1391
LA en
DS Repositorio institucional de IMDEA Nanociencia
RD 16 may. 2026