Tunable Doping and Optoelectronic Modulation in Graphene-Covered 4H-SiC Surfaces

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dc.contributor.affiliation000000041762408X
dc.contributor.affiliationDepartamento de Química, Módulo 13, Universidad Autónoma de Madrid, Madrid, 28049, Spain; Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia, IMDEA Nano, Campus de Cantoblanco, Madrid, 28049, Spain; Departamento de Química Física, Facultad de CC Químicas, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spainen
dc.contributor.authorMansouri M.
dc.contributor.authorMartín, Fernando
dc.contributor.authorDíaz C.
dc.date.accessioned2025-03-20T09:47:10Z
dc.date.available2025-03-20T09:47:10Z
dc.date.issued2025
dc.identifier.doi10.1021/acs.jpcc.4c06409en
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12614/3933
dc.journal.titleJournal of Physical Chemistry Cen
dc.language.isoenen
dc.page.initial4155en
dc.relation.projectIDTEMPCentro de Computación Científica de la Universidad Autónoma de Madrid; CCC-UAM; European Research Council, ERC; Ministerio de Ciencia e Innovación, MCIN, (PID2022-138288NB-C31, CEX2020-001039-S, PID2022-138288NB-C33, CEX2018-000805-M); Ministerio de Ciencia e Innovación, MCIN; Horizon 2020 Framework Programme, H2020, (951224); Horizon 2020 Framework Programme, H2020
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.titleTunable Doping and Optoelectronic Modulation in Graphene-Covered 4H-SiC Surfacesen
dc.typeresearch articleen
dc.volume.number129en

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